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AlN晶體
- 產品概述：
- AlN單晶襯底是一種具有特殊性能的寬禁帶半導體材料
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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AlN晶體 |
| 技術參數
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晶體結構： | 六方晶系 | 晶格常數： | a=3.112?； C=4.982? | 密度： | 3.23g/cm3 | 熱導率： | 285W/mk | 可用區域： | > 80％ | EPD： | <1E5 cm-2 | 吸收系數： | <80 cm-1 |
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| 產品規格
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常規晶向： | C平面（0001 | 晶向公差： | ±1° | 常規尺寸： | 10x10x0.45mm±50μm、5x5x0.45mm±50μm | 拋光情況： | 雙拋 | 拋光面粗糙度： | Al面：CMP拋光（RMS<0.8nm） N面：光學拋光（RMS <3nm） |
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| 搖擺曲線圖
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