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GaSb晶體
- 產品概述：
- GaSb單晶由于其晶格常數與帶系在?0.8~4.3um寬光譜范圍內的各種三元和四元，III-V族化合物固熔體的晶格常數匹配，因為GaSb可以作為襯底材料用作制備適合某些紅外光纖傳輸的激光器和探測器，GaSb也被預見具有晶格限制遷移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潛在的應用前景。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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銻化鎵(GaSb)晶體基片 |
| 技術參數
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晶體結構： | 立方晶系 | 晶格常數： | 6.095? | 硬度（Mohs） | 4.5 | 密度： | 5.619 g/cm3 | 熔點： | 710℃ | 介電常數 | 15.7 | 熱膨脹系數： | 6.1×10-6/oK | 熱導率： | 270 mW / cm.k at 300K | 摻雜類型： | N型摻Te；P型不摻雜 | 載流子濃度： | 1-2x1017 1-5x1016 1-5x1018 2-6x1017 1-5x1016 | 位錯密度： | <103 cm-2 | 生長方法： | LEC |
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| 產品規格
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常規晶向： | （100）、（110）、（111） | 常規尺寸： | dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋 | 表面粗糙度： | <15A | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
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