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InSb晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 在III-V族半導體中，InSb化合物具有最窄禁帶寬度、最高電子遷移率、最小有效質(zhì)量和最大g 因子，是制備高速低功耗電子器件、紅外光電子器件及進行自旋電子學研究與拓撲量子計算等前沿物理探索的理想材料。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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銻化銦(InSb)晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | 6.06 ? | 硬度（Mohs）： | 3.8 | 密度： | 5.66g/cm3 | 熔點： | 942℃ | 摻雜： | None;Te;Ge | 導電類型： | N型 和 P型 | 載流子濃度： | 1-5x1014 1-2x1015 | 位錯密度： | <2x102 cm-2 | 生長方法： | FZ 或 LCE |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | （100）
| 公差： | ±0.5o | 常規(guī)尺寸： | dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋 雙拋 | 表面粗糙度： | <15? | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工金屬單晶存在常見晶體缺陷等。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝。 |
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