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二維材料MoSe2
產品概述:
應用于半導體電子器件、光學器件等研究。
免責聲明: 本站產品介紹內容(包括產品圖片、產品描述、技術參數等)僅用于宣傳用途,僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差,請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議,或者想了解產品詳細信息及更多參數,請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾,請勿將此參數用于招標文件或者合同,科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息,恕不另行通知,請您諒解。 如果您需要下載產品的電子版技術文檔,說明書(在線閱覽),裝箱單,與售后安裝條件等文件,請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶,購買前請與工作人員溝通,以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
產品名稱

MoSe2 二硒化鉬

技術參數

類型:

CVT法人工合成

純度:

>99.99%

外觀:

銀灰色

電導:

半導體

帶隙:

 單層MoSe2直接帶隙 1.55 eV

晶體結構:六方晶系
晶體常數:a=b=3.29,  c=12.89  ,α=β=90° ,γ=120°
生長方法:化學氣相傳輸

常規尺寸:

~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米


標準包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

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