- 加熱爐設備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設備
- 壓片設備
- 輥壓設備
- 切割設備
- 磨拋設備
- 清洗設備
- 電池研發設備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設備
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術參數
|
晶胞結構 | 六方 | 晶格常數 | a =3.08 ? c = 15.08 ? | 排列次序 | ABCACB (6H) | 生長方法 | MOCVD | 方向 | 生長軸或偏(0001) 3.5° | 拋光 | Si面拋光 | 帶隙 | 2.93 eV (間接) | 導電類型 | N | 電阻率 | 0.076 ohm-cm | 介電常數 | e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 | 熱導率@300K | 5 W / cm . K | 硬度 | 9.2 Mohs |
|
| 產品規格
|
常規晶向： <0001>； 摻雜類型： 6H N型 表示專門摻N的，摻雜濃度10E18-10E19； 4H N型 或者半絕緣；
常規尺寸：dia2"x0.33mm、dia2"x0.43mm； dia3"x0.35mm、10x10mm、10x5mm; 拋光情況：單拋或雙拋，Ra<10A； 我司現可供應<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm，單拋 一種低電阻率（0.01~0.1 ohm.cm)，一種是高電阻率（>10^5 ohm.cm)
|
| 標準包裝
|
1000級超凈室100級超凈袋或單片盒封裝 |
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
查看誠信檔案
皖公網安備 34012302000974號
