- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
CsI(Tl)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 閃爍晶體的X或Y水平射線有著較高的發(fā)光效率，由于它的能度和強(qiáng)度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測(cè)設(shè)備中，比如機(jī)場(chǎng)，火車站，自定義端口以及石油勘探領(lǐng)域。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 立方 | 晶格常數(shù)： | 4.566 | 熔點(diǎn)oC： | 651 | 密度g/cm3： | 4.51 | 莫氏硬度： | 2 | 熱膨脹系數(shù)10-6/K： | 50 | 折射率： | 1.79 | 發(fā)射波長(zhǎng)(nm)： | 540 | 輻射長(zhǎng)度： | 1.86 | 吸濕： | slightly | 生長(zhǎng)方法： | Bridgman |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： 常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm、15x15x0.5mm； 拋光情況：細(xì)磨、單拋、雙拋； 注：可按客戶需求定制特殊的方向和尺寸。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋包裝 |
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