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硅酸鉍(Bi12SiO20)晶體基片
產品概述:
硅酸鉍(Bi12SiO20)晶體基片簡稱(BSO)是聲表面波器件、體聲波器件、全息記憶以及電光器件的極好材料。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
技術參數

晶向:

<100>,<110>

晶體結構:

立方

晶格常數:

a=10.146?

生長方法:

提拉法

熔點:

930℃

密度:

9.2g/cm3

莫氏硬度:

4.5 Mohs

介電常數:

εS1142.7、εT1147.5 

彈性勁度系數( x1011N/m2):

CE11 1.33、CE44 0.25

壓電應變常數 (C/m2):

e14  1.01

透過范圍 (nm):

470~7500

電光系數 (x10-12m/V):

 r41 5

折射率:

 2.45 @ 632.8nm

折射率梯度 (x10-5/cm):

 ≤5 @ 632.8nm

旋光性 (mm-1):

 左邊20° @632.8nm

透光性 (%):

 69 @632.8nm


產品規格

常規晶向:<100>、<001>;

常規尺寸:5x5x0.5mm、10x10x0.5mm;

拋光情況:細磨、雙拋;

注:可按照客戶要求加工尺寸和晶向

標準包裝

1000級超凈室100級超凈袋包裝

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