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Si+Si3N4薄膜
- 關鍵字：
- 進口料Silicon Nitride Film (LPCVD) on Silicom Wafer N type doped P
- 產品概述：
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術參數
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Si參數： | 晶向： | 摻雜類型：N型摻P； | 電阻率:1-20 ohm-cm； | 拋光：單拋； | Si3N4參數： | 生長方法：low stress LPCVD method | 薄膜厚度：1.3um?±5%；300?nm??+/-?10% | 鍍膜情況：Si3N4 covers both side of Silicon wafer |
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| 常規尺寸
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dia4" ±0.5mm x 0.525 ±0.025mm |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋真空包裝、單片盒或插盒 |
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