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小型提拉法(CZ)單晶生長爐(可用于生長直徑<25mm晶體,最高溫度2100℃)
- 型號:
- IMCS-2000-CZ
- 產品概述:
- IMCS-2000-CZ是一款小型的提拉法(CZ)晶體生長爐,生長單晶直徑<25mm。此設備最高溫度可達2100℃,可用于生長Al2O3,GGG,YAG,LaAlO3,Si,Ge和各種金屬單晶等。
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電源需求
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·輸入電壓:380VAC,三相 (需要50A空氣開關) ·感應加熱最大輸入電流50A ·最大輸出功率25KW
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真空腔體
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·真空腔體采用304不銹鋼制作 ·真空腔體尺寸:Φ320×320mm ·腔體門上有一石英窗口(Φ120mm),用于觀察材料熔化,種籽晶和長晶過程 ·一個KF25接口和一個KF40真空接口在腔體后端 ·LF160接口在腔體右側,用于連接分子泵系統。 
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提拉機構
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·提拉機構采用精密伺服電機驅動 ·提拉速度:0.4-15mm/hr ·提拉干旋轉速度:0.1-23RPM ·移動行程:0-250mm ·提拉機構可快速移動35mm/min ·可增加上稱重模塊,用實時測量提拉出樣品的質量與電源功率輸出配合,提高長晶質量(需要額外增加費用)
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真空&氣氛
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·真空腔體種可抽真空和通入惰性氣氛 ·設備中配有一個數顯防腐真空計(傳感器上涂油陶瓷涂層),測量范圍為10^-5 ~ 1000 torr ·真空度:5 x 10-6 torr(采用分子泵系統) 5 x 10-2torr(采用機械泵) ·可在本公司購買各種真空泵 
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感應加熱
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·25KW(30-80KHz)感應電源,帶有時間控制器和功率控制器 ·感應線圈:Φ90mm×80mmH ·其他尺寸線圈可定制 ·設備需要:116L/min的循環水冷機(標配中包含,需要額外付費購買) 
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控制面板
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·觸摸屏控制面板 ·可控制提拉速度,提拉行程,籽晶桿轉速和工作溫度
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應用注意事項
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|  |  |  |  | 熔化材料 | 籽晶種入到熔液 | 提拉開始 | 生長的氧化鋁單晶 | 生長的Ni單晶 |
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設備尺寸
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