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1300℃高壓助溶劑法晶體生長爐
型號:
CM-HIP-3-II
產品概述:
1300℃高壓助溶劑法晶體生長爐如圖片所示,采用內加熱方式,鉬絲為加熱元件,鉬+不銹鋼反射屏為隔熱材料。腔室為不銹鋼材質,在1300℃以內可以承受10Mpa的高壓。是采用助溶劑法生長氮化鎵(GaN)等晶體材料的理想設備。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
設備名稱型號

· 1300℃高壓助溶劑法晶體生長爐  CM-HIP-3-II


結構

· 腔體采用SS304不銹鋼制作

· 腔體上安裝有安全閥(當腔體壓力超過設置的最大值時,安全閥將自動泄壓)

· 不銹鋼腔體外安裝有一防爆箱

· 設備安裝有移動輪,方便移動

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基本參數

· 總功率:12 KW

· 電源:三相AC 380V 50/60HZ

· 加熱元件:鉬絲

· 最高加熱溫度:1300℃

· 最大壓力:10MPa

· 建議升溫速率:4℃/min

· 加熱區高度: 120mm+120mm(雙溫區獨立控溫)


爐腔與法蘭

· 腔體采用SS304不銹鋼制作(帶有水冷夾層,設備中配有水冷機)

· 腔體尺寸:φ320mm(外腔)*φ235mm(內腔)*413mm(高度不含法蘭蓋)

· 腔體內部加熱區尺寸:φ110 * 240(120+120) mm

· 可放入坩堝尺寸:≤ φ90mm*100mm(H)

· 腔體上蓋安裝有壓力傳感器實時監測腔體內的壓力變化

· 腔體采用雙重安全保護的設計思路,同時安裝有電磁安全閥和機械安全閥,當腔體壓力超過最大上限壓力時,安全閥將自動進行排氣

· 安全閥上限壓力范圍:≤11MPa

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· 腔體上蓋中間位置安裝了一截細長型的小腔室,一個強磁鋼套在小腔室外部,腔室內部安裝有磁性金屬桿,金屬桿下端安裝了一個陶瓷桿,陶瓷桿尾段有螺紋用于固定樣品;提拉桿穿過腔體上蓋和坩堝蓋到達腔體內部樣品的位置。腔體上蓋安裝了一個電動滑臺,強磁鋼一端固定在滑臺上,通過磁鋼的移動帶動腔體內部的樣品上下移動

· 提拉桿移動速度:5—100mm/min(可調)

· 提拉桿提拉行程:80mm

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溫控系統與觸摸屏

· 包含兩個控溫儀表,每個溫區單獨控制

· PID自動控溫系統

· 控溫精度:±1℃

· 熱電偶:采用進口歐米茄C型熱電偶

· 設備標配一個觸摸屏,可在觸摸屏上設置兩個儀表的升溫程序

· 可在觸摸屏上查看設備的升溫曲線,并可保存和導出數據

· 可在觸摸屏上設置實驗所需要的壓力;實驗時腔體內部的壓力實時顯示

· 水冷設備、真空泵、以及真空閥門等均可在觸摸屏上進行開啟與關閉

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最高工作壓力

· 10MPa(1300℃時)(充5個9高純氬氣)

· 腔體上安裝有安全閥(當腔體壓力超過設置的最大值時,安全閥將自動泄壓)

· 工作氣體:Ar, N2


真空系統

· 一臺雙級旋片式真空泵,真空泵型號:VRD-48;

· 配備VRD-48真空泵能夠達到的真空度 5*10-2 torr(冷態下,抽真空30min)

· 可根據客戶需要選配分子泵系統(具體要求可與銷售聯系定制)

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· VRD-48  

· 抽氣速率:13.3 L/S

· 極限壓力:4*10-1Pa(不帶負載,單獨機械泵)

· 額定功率:1500


水冷系統

· 設備需要配置一臺CW-6200的水冷機,用于對高壓腔室和加熱電極進行水冷保護

· 輸入電壓:220-240V  50HZ

· 輸入電流:0.5-4.5A

· 最大功率:1.8KW

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空氣壓縮機

· 功率:370W

· 壓力:0.8MPa

· 電源:220V 50HZ

· 排氣量:49L/min


設備外形尺寸

· 防爆箱關閉:長1280mm*寬950mm*高1600mm

· 防爆箱開啟:長1720mm*寬950mm*高2180mm

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重量

· 約700KG



  注意事項

· 熱等靜壓爐升溫速率不得超過6度/min,否則會造成爐膛開裂和加熱絲斷裂。

· 法蘭表面的溫度很高,請注意不要觸摸,防止燙傷。

· 該設備可正常燒制到1300℃,最高壓力為10MPa(在高純氬氣環境下),請不要過溫或過壓使用。

· 不得通氯化物、硫化物等易腐蝕的氣體,否則容易損壞法蘭,波紋管(選配)等不銹鋼材質的配件。

· 由于加熱元件是鉬絲,在高溫下容易氧化,故只能通入高純氬氣,氮氣等惰性氣體,不可通入氧氣,以免鉬絲損壞。

· 爐內溫度變成常溫后方可打開上蓋。此時樣品溫度仍可能較高,請注意,或佩帶手套或其他工具操作。


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