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AlN薄膜
產品概述:
纖鋅礦結構的AlN(氮化鋁)的禁帶寬度為6.2eV,具有高熱導率、高電阻率等優異性能,與高Al組份的AlGaN材料晶格失配小,是一種研制紫外、深紫外光電器件、高溫大功率電子器件和高頻微波器件的理想材料。紫外LED在生化探測、殺菌消毒、聚合物固化、無線通訊及白光照明等領域都有重大應用價值。
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基本參數

Item

AlN-T-C-C50

Dimension

Ф 50.8 ± 0.2 mm

Thickness/Thickness STD

1-5μm±10%/<3%

Orientation of AIN

C-plane (0001) off angle toward A-axis 0.2±0.1°

Orientation Flat of AIN

(1-100)0±0.2°,16±1mm

Conduction Type

Semi-Insulating

XRD Crystal Quality

[1,2)μm

[2,3)μm

[3,4)μm

[4,5)μm

(0002)FWHM(arcsec)

≤80

≤100

≤120

≤160

(10-12)FWHM(arcsec)

≤650

≤550

≤450

≤400

Structure

~1-5AIN/~20nm AIN buffer/430±25μm sapphire

Edge Exclusion

≤2.5μm

Through Crack

None

Orientation of sapphire

C plane(0001) off angle toward M-axis 0.2±0.1°

Orientation Flat of sapphire

(11-20)0±0.2°,16±1mm

Sapphire Polish

Single side polished(SSP)/Double side polished (DSP)

Package

Packagesd in a cleanroom in containers

圖片2.jpg


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